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[반도체 트렌드] SK하이닉스, 세계 최초 V10 4D NAND & HBF 표준 전격 공개… AI 메모리 시장 재편

"AI 시대를 맞이한 반도체 시장, 용어부터 뉴스까지 너무 복잡하고 어렵게 느껴지셨나요?"

SK하이닉스가 최근 세계 최초로 공개한 V10 4D NAND와 차세대 메모리 규격 HBF는 향후 AI 반도체 시장의 판도를 바꿀 핵심 전환점으로 평가받고 있습니다.

하지만 HBM, HBF, eSSD 등 쏟아지는 기술 용어와 복잡한 시장 전망 때문에 핵심을 파악하기 어려우셨을 텐데요. 엔지니어와 투자자, IT 트렌드에 관심 있는 분들이 가장 궁금해하는 핵심 질문 5가지만 뽑아 알려드릴게요.

▲ 사진 1. SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 HBF의 첫 표준 규격을 OCP를 통해 공개했다고 4일 밝혔다. (출처 : SK하이닉스 공식 홈페이지)

Q1. HBF(High Bandwidth Flash) 표준 규격이란 무엇인가요?

HBF(High Bandwidth Flash)는 SK하이닉스와 샌디스크(SanDisk)가 출범한 HBF 표준 컨소시엄이 6개월 만에 처음으로 공개한 차세대 초고속 낸드 표준입니다.

SK하이닉스는 HBF 표준을 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP)를 통해 공개하며 개방형 생태계 확산을 추진하고 있습니다.

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▲ 사진 2. HBF, HBM 계층 구조

HBF는 HBM과 경쟁하는 기술이 아니라, HBM과 SSD 사이의 빈틈을 메우는 상호보완적 니어 메모리(Near Memory) 계층입니다.

현재 AI 시스템의 데이터 병목을 해결하기 위해 주요 반도체 기업들이 각기 다른 대안 기술로 경쟁하고 있습니다.

SK하이닉스 HBF
고대역폭과 대용량을 접목한 니어 메모리 (소프트웨어 생태계 성숙이 단기 과제)
삼성 Z-NAND / 키옥시아 XL-Flash (SCM)
10㎲ 미만의 초저지연을 제공하지만, 일반 TLC 대비 3~4배 비싼 가격이 단점
마이크론 SLC/pSLC SSD
초고내구성 캐시로 활용되지만, 페타바이트급 대용량 확장에는 한계 존재

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▲ 사진 3. 4D NAND (375단) 사양 및 핵심 목표

이번 행사에서 함께 공개된 375단 10세대(V10) 4D NAND는 데이터센터의 가장 큰 과제인 전력 소비 절감을 핵심 목표로 두고 있습니다.

전력 효율
기존 대비 와트당 성능 2.5배 향상
상용화 일정
2026년 하반기: 샌디스크 일본 생산 거점에 파일럿 라인 가동
2027년 초: 375단 V10 4D NAND 양산 시작
2030년경: HBF를 포함한 복합 메모리 솔루션 수요 본격 확대 전망

375단 낸드 기반 기업용 SSD(eSSD) 양산이 시작되면 SK하이닉스는 다음 3대 포트폴리오를 완성합니다.

초고속 연산 영역 - HBM (D램)

중간 가속 계층 - HBF (낸드)

대용량 저장 영역 - eSSD (스토리지)

이러한 풀스택(Full-Stack) AI 메모리 라인업은 AI 데이터센터의 총소유비용(TCO)을 낮추고,

글로벌 AI 인프라 공급망에서 고객 락인(Lock-in) 효과와 주도권을 공고히 할 것으로 기대됩니다.

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