이 강의를, 듣고 나면 뭐가 달라질까요?
본 강의는 반도체 미세 공정의 필수 기술인 CMP의 정의부터 물리·화학적 원리, 소모품 및 장비 특성, 그리고 주요 모듈별(STI, ILD, Metal) 적용 사례를 심도 있게 다룹니다. 수강생은 웨이퍼 표면의 평탄화가 공정 마진에 미치는 영향을 이해하고, 현장에서 발생하는 결함(Defect)의 원인 파악 및 해결 능력을 길러 차세대 반도체 제조를 위한 공정 최적화 전문가로 성장할 수 있습니다.
CMP의 정의 및 도입 배경 : 화학적 반응과 기계적 힘을 결합한 평탄화 원리와 다층 배선 구조를 위한 도입 목적을 학습합니다.
물리·화학적 메커니즘 : Preston Equation을 기반으로 한 연마율(Removal Rate) 계산과 슬러리 내 연마 입자의 화학 반응을 이해합니다.
모듈별 CMP 공정 기술 : 소자 격리를 위한 STI CMP, 배선을 위한 Tungsten(W) 및 Copper(Cu) CMP의 개별 특성을 파악합니다.
공정 변수 및 소모품 관리 : 패드(Pad), 슬러리(Slurry), 컨디셔너의 영향성과 연마 압력 및 속도 등 주요 파라미터를 분석합니다.
결함 분석 및 수율 관리 : Scratch, Dishing, Erosion 등 주요 결함의 발생 원인을 진단하고 사후 세정(Post-CMP Clean)의 중요성을 정리합니다.