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반도체 / 전공/직무 / VOD

NCS 반도체 8대 공정 심화 - D&I (Diffusion & Ion Implantation) 과정

반도체 핵심 구조를 완성하는 Diffusion 및 Ion Implantation 공정의 이론과 첨단 기술을 깊이 있게 다루는 전문 과정입니다.

후기 5.0(7)

수강생 2,637명

강사

수료증 발급 여부 NCS 수료증 발급

수강기간 35일

강의 난이도 LV.3 역량높이기

강의 시간 7시간 06분 41초

상시 할인

100,000원

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권장 소비자 가격

140,000원

할인 금액

-40,000원

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강의소개

강사소개

커리큘럼

수강후기 (7)

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이 강의를, 듣고 나면 뭐가 달라질까요?

반도체 8대 공정 중 핵심인 산화 및 확산/이온주입 과정에 대한 이론적 이해와 공정 응용 능력을 심화하는 것을 목표로 합니다. Fick's Law, Deal-Grove Theory, Doping Theory 등 주요 이론을 정립하고, Gate Oxide, STI, High-k 등 다양한 유전체의 역할과 이온 주입 장비의 작동 원리를 완벽하게 숙지합니다. 이를 통해 차세대 소자 개발 및 최적화에 기여할 수 있는 반도체 D&I 공정 전문가로 성장합니다.

이런 걸 배우게 됩니다

산화 공정 이론 및 종류 : Fick's Law, Deal-Grove Theory를 기반으로 Dry/Wet Oxidation 등 산화 공정 이론과 흐름도를 학습합니다.

산화막 및 유전체 응용 : Gate Oxide, STI, LOCOS 문제점 등 산화막의 종류별 용도 및 High-k/Low-k 유전체 기술을 분석합니다.

열산화 설비 및 계측 : 수직 전기로(Furnace)와 RTP의 작동 원리, 장단점을 비교하고 Ellipsometer 등 산화막 계측 방법을 이해합니다.

도핑 이론 및 이온주입 : Doping Nomenclature, Stopping Theory, Energy/Dose에 따른 Doping Profile 등 도핑 이론을 정립하고, 이온 주입 장비 원리를 학습합니다.

CMOS 응용 및 계면 분석 : CMOS 내 도핑 영역(Well, LDD, S/D) 구성과 Annealing, Channeling, SIMOX/SOI 기술, 그리고 SRP/SIMS 등 분석 장비를 정리합니다.

이런 분들께 특히 추천드려요

반도체 D&I 공정 전문 인력 희망자 : 확산(Diffusion) 및 이온 주입(Ion Implantation) 공정의 심화 이론과 장비 운용 지식을 습득하고 싶은 분

반도체 연구 개발(R&D) 엔지니어 : High-k/Low-k, SOI 등 차세대 소자 구조 및 유전체 기술에 대한 심층적 이해가 필요한 분

반도체 공정/설비 교육 이수자 : NCS 8대 공정 기초 과정을 이수하고 D&I 분야에 대한 전문성을 한 단계 높이고 싶은 분

반도체 Fab 공정 품질/관리 담당자 : 열산화 시 발생하는 OISF나 Si/SiO2 계면 전하 등 공정상의 문제점 및 계측 기술을 이해하고자 하는 분

이정도 배경지식이 있으면 더 수월해요

이 강의는 반도체 8대 공정 중 D&I 공정을 심화 학습하는 과정이므로, 원활한 이해를 위해 반도체 소자의 기본 구조(MOSFET 등) 및 동작 원리에 대한 지식이 있다면 큰 도움이 됩니다. 특히, 물리학의 확산 개념(Diffusion)과 결정 구조(Crystal Structure, Miller Index)에 대한 기초적인 이해는 Fick's Law 및 산화막의 결정 구조를 학습하는 데 수월함을 더합니다. 또한, 반도체 기초 공정(Lithography, Etch 등)에 대한 개요를 알고 있다면 D&I 공정이 전체 생산 흐름에서 어떤 역할을 하는지 빠르게 파악할 수 있습니다.

강의를 맡은 분은 이런 분이에요 👩‍🏫

커리큘럼 한 눈에보기

전체 13차시 (약 6시간 36분)

ChapterCh 1.

NCS 반도체 8대 공정 심화 - D&I

13차시 (6시간 36분)

1. Prologue - Patterning 과정